STD2LN60K3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数为：漏极电流ID为2A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDON为4200mΩ。 该器件具备较高的耐压能力与良好的开关特性， 适用于中功率电源转换、电池管理系统、智能照明控制及各类消费类电子设备中的功率控制电路。 其性能稳定， 能够满足多种通用型高压应用场景的技术需求。