STD26NF10-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD26NF10-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为37毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件在中等电流应用中表现稳定, 适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。 其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度, 满足一般直流负载驱动需求, 为系统设计提供可靠的功率管理方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
STD26NF10-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
STD26NF10-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为37毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件在中等电流应用中表现稳定, 适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。 其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度, 满足一般直流负载驱动需求, 为系统设计提供可靠的功率管理方案。
STD26NF10-HXY特性
暂无产品特性。
STD26NF10-HXY应用领域
暂无应用领域。
