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STD26NF10-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD26NF10-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为37毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件在中等电流应用中表现稳定, 适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。 其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度, 满足一般直流负载驱动需求, 为系统设计提供可靠的功率管理方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

STD26NF10-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

STD26NF10-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为37毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件在中等电流应用中表现稳定, 适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。 其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度, 满足一般直流负载驱动需求, 为系统设计提供可靠的功率管理方案。

STD26NF10-HXY特性

暂无产品特性。

STD26NF10-HXY应用领域

暂无应用领域。

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