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STD25N10F7-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD25N10F7-HXY

STD25N10F7 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为处理高电压、大电流任务设计。 其工作电压高达100V, 连续电流承载量可达30A, 尤其适用于电源转换、电机驱动等应用场合。 独特优势在于导通电阻仅为35mΩ, 有效保障了在大电流工作状态下的低损耗与高效能表现。 选择STD25N10F7 MOS管, 赋予您的电路设计更高功率、更优能效的特质。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

7

货期

现货

STD25N10F7-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存7

STD25N10F7-HXY概述

STD25N10F7 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为处理高电压、大电流任务设计。 其工作电压高达100V, 连续电流承载量可达30A, 尤其适用于电源转换、电机驱动等应用场合。 独特优势在于导通电阻仅为35mΩ, 有效保障了在大电流工作状态下的低损耗与高效能表现。 选择STD25N10F7 MOS管, 赋予您的电路设计更高功率、更优能效的特质。

STD25N10F7-HXY特性

暂无产品特性。

STD25N10F7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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