STD25N10F7-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD25N10F7-HXY
STD25N10F7 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为处理高电压、大电流任务设计。 其工作电压高达100V, 连续电流承载量可达30A, 尤其适用于电源转换、电机驱动等应用场合。 独特优势在于导通电阻仅为35mΩ, 有效保障了在大电流工作状态下的低损耗与高效能表现。 选择STD25N10F7 MOS管, 赋予您的电路设计更高功率、更优能效的特质。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
7
货期
现货
STD25N10F7-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
STD25N10F7-HXY概述
STD25N10F7 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为处理高电压、大电流任务设计。 其工作电压高达100V, 连续电流承载量可达30A, 尤其适用于电源转换、电机驱动等应用场合。 独特优势在于导通电阻仅为35mΩ, 有效保障了在大电流工作状态下的低损耗与高效能表现。 选择STD25N10F7 MOS管, 赋予您的电路设计更高功率、更优能效的特质。
STD25N10F7-HXY特性
暂无产品特性。
STD25N10F7-HXY应用领域
暂无应用领域。
