STD1NK60-1
IC
IPAK
可供量大可议
STD1NK60-1
这款高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET, 该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。 除了显著降低导通电阻外, 该器件还针对最严苛的应用场景, 确保具备高水平的 dv/dt 能力。
品牌
ST
封装
IPAK
库存
1
货期
现货
STD1NK60-1参数
| 封装 | IPAK |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
STD1NK60-1概述
这款高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET, 该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。 除了显著降低导通电阻外, 该器件还针对最严苛的应用场景, 确保具备高水平的 dv/dt 能力。
STD1NK60-1特性
暂无产品特性。
STD1NK60-1应用领域
暂无应用领域。
