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STD1NK60-1
IC

IPAK

可供量大可议

STD1NK60-1

这款高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET, 该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。 除了显著降低导通电阻外, 该器件还针对最严苛的应用场景, 确保具备高水平的 dv/dt 能力。

品牌

ST

封装

IPAK

库存

1

货期

现货

STD1NK60-1参数

封装IPAK
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

STD1NK60-1概述

这款高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET, 该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。 除了显著降低导通电阻外, 该器件还针对最严苛的应用场景, 确保具备高水平的 dv/dt 能力。

STD1NK60-1特性

暂无产品特性。

STD1NK60-1应用领域

暂无应用领域。

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