STD1NB80T4-VB
IC
TO-251
可供量大可议
STD1NB80T4-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򑵼 򏟋 򏟋 V, 򘞟 A, RDS(ON), 򘞟 𮧂 򏟋 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 򏟋 Vgs(±V); 򬓹 񄂹 𢺫 Vth(V) 封装:TO򘞟 𢺫 󗙻 作为高压MOSFET器件, 可用于LED照明系统中的功率调节和开关, 提高系统的能效和稳定性。
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
50
货期
现货
STD1NB80T4-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
STD1NB80T4-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򑵼 򏟋 򏟋 V, 򘞟 A, RDS(ON), 򘞟 𮧂 򏟋 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 򏟋 Vgs(±V); 򬓹 񄂹 𢺫 Vth(V) 封装:TO򘞟 𢺫 󗙻 作为高压MOSFET器件, 可用于LED照明系统中的功率调节和开关, 提高系统的能效和稳定性。
STD1NB80T4-VB特性
暂无产品特性。
STD1NB80T4-VB应用领域
暂无应用领域。