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STD18N65M5
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IC

DPAK(TO-252)

STD18N65M5

场效应管(MOSFET) 110W 650V 15A 1个N沟道

品牌

ST

封装

DPAK(TO-252)

交期

现货

批次

24+

STD18N65M5参数

封装DPAK(TO-252)
品牌ST(意法半导体)
批次24+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))220mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))5V
输入电容(Ciss)1.24nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)32pF
分类场效应管(MOSFET)
库存2,352
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)650V
耗散功率(Pd)110W
栅极电荷量(Qg)31nC@10V
反向传输电容(Crss)3.2pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)25V

STD18N65M5概述

场效应管(MOSFET) 110W 650V 15A 1个N沟道

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