STD17NF03LT4-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD17NF03LT4-HXY
STD17NF03LT4 是一款N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高电流和高效率应用设计。 器件支持最大30V的漏源电压(VDSS), 并能安全处理高达20A的连续漏极电流, 展现出强大的电流承载能力。 其独特的15mΩ超低导通电阻(RD(on))设计, 有效提升了系统能效, 降低了损耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等领域, 是高功率、高性能电子产品的重要组成部分。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
200
货期
现货
STD17NF03LT4-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
STD17NF03LT4-HXY概述
STD17NF03LT4 是一款N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高电流和高效率应用设计。 器件支持最大30V的漏源电压(VDSS), 并能安全处理高达20A的连续漏极电流, 展现出强大的电流承载能力。 其独特的15mΩ超低导通电阻(RD(on))设计, 有效提升了系统能效, 降低了损耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等领域, 是高功率、高性能电子产品的重要组成部分。
STD17NF03LT4-HXY特性
暂无产品特性。
STD17NF03LT4-HXY应用领域
暂无应用领域。
