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STD17NF03LT4-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD17NF03LT4-HXY

STD17NF03LT4 是一款N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高电流和高效率应用设计。 器件支持最大30V的漏源电压(VDSS), 并能安全处理高达20A的连续漏极电流, 展现出强大的电流承载能力。 其独特的15mΩ超低导通电阻(RD(on))设计, 有效提升了系统能效, 降低了损耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等领域, 是高功率、高性能电子产品的重要组成部分。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

200

货期

现货

STD17NF03LT4-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存200

STD17NF03LT4-HXY概述

STD17NF03LT4 是一款N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高电流和高效率应用设计。 器件支持最大30V的漏源电压(VDSS), 并能安全处理高达20A的连续漏极电流, 展现出强大的电流承载能力。 其独特的15mΩ超低导通电阻(RD(on))设计, 有效提升了系统能效, 降低了损耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等领域, 是高功率、高性能电子产品的重要组成部分。

STD17NF03LT4-HXY特性

暂无产品特性。

STD17NF03LT4-HXY应用领域

暂无应用领域。

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