STD16NF06LT4

这款功率MOSFET采用意法半导体独特的“单特征尺寸™”条形工艺最新研发而成。 由此产生的晶体管在低导通电阻方面展现出极高的封装密度， 具备坚固的雪崩特性， 且对准步骤要求较低， 因此具有出色的制造再现性。