STD15NF10L(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
STD15NF10L(UMW)
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 100V。 ID = 20A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 75mΩ (VGS = 10V)
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
390
货期
现货
STD15NF10L(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 390 |
STD15NF10L(UMW)概述
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 100V。 ID = 20A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 75mΩ (VGS = 10V)
STD15NF10L(UMW)特性
暂无产品特性。
STD15NF10L(UMW)应用领域
暂无应用领域。