STD13N65M2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD13N65M2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）达9.3A， 导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保在多种驱动条件下稳定工作。 得益于碳化硅材料特性， 器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备中的功率开关功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
STD13N65M2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
STD13N65M2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）达9.3A， 导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保在多种驱动条件下稳定工作。 得益于碳化硅材料特性， 器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备中的功率开关功能。
STD13N65M2-HXY特性
暂无产品特性。
STD13N65M2-HXY应用领域
暂无应用领域。