STD12NF06T4-VB
自营可供
IC
TO-252
STD12NF06T4-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺， 具有高性能和稳定的特性， 适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 18A； RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
STD12NF06T4-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:18.2A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 660pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
| 商品型号 | STD12NF06T4-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004 |
STD12NF06T4-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺， 具有高性能和稳定的特性， 适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 18A； RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
STD12NF06T4-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
STD12NF06T4-VB应用领域
- DC/DC转换器
- DC/AC逆变器
- 电机驱动器