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STD12NF06T4-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD12NF06T4-HXY

这款N沟道场效应管是一款针对中等功率应用优化的控制器件, 具备60V的漏源耐压值, 能够稳定承载8A的连续电流。 其导通电阻约为88mΩ, 这一特性确保了器件在导通状态下的功率损耗维持在较低水平, 有助于提升电路整体的能效表现。 在应用方面, 它常被应用于各类便携式电子产品的电源管理模块中, 作为高效的负载开关或电池保护元件。 此外, 在直流电机驱动或LED照明控制电路中, 该器件也能凭借稳定的开关特性, 实现对负载电流的精准调节与控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

STD12NF06T4-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

STD12NF06T4-HXY概述

这款N沟道场效应管是一款针对中等功率应用优化的控制器件, 具备60V的漏源耐压值, 能够稳定承载8A的连续电流。 其导通电阻约为88mΩ, 这一特性确保了器件在导通状态下的功率损耗维持在较低水平, 有助于提升电路整体的能效表现。 在应用方面, 它常被应用于各类便携式电子产品的电源管理模块中, 作为高效的负载开关或电池保护元件。 此外, 在直流电机驱动或LED照明控制电路中, 该器件也能凭借稳定的开关特性, 实现对负载电流的精准调节与控制。

STD12NF06T4-HXY特性

暂无产品特性。

STD12NF06T4-HXY应用领域

暂无应用领域。

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