STD12NF06T4

这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。 由此制成的晶体管展现出极高的封装密度， 具备低导通电阻、坚固的雪崩特性， 且对准步骤要求较低， 因此具有出色的制造可重复性。