STD11NM65N-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD11NM65N-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9.3A的连续漏极电流（ID）和410mΩ的导通电阻（RDS(on)）， 栅源电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅工艺， 具备高耐压能力与较低导通损耗， 在高频开关条件下仍能保持良好性能， 适用于对效率、热管理和空间布局有较高要求的电源转换及能量处理系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
STD11NM65N-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
STD11NM65N-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9.3A的连续漏极电流（ID）和410mΩ的导通电阻（RDS(on)）， 栅源电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅工艺， 具备高耐压能力与较低导通损耗， 在高频开关条件下仍能保持良好性能， 适用于对效率、热管理和空间布局有较高要求的电源转换及能量处理系统。
STD11NM65N-HXY特性
暂无产品特性。
STD11NM65N-HXY应用领域
暂无应用领域。