STD11N60DM2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD11N60DM2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9.3A的连续漏极电流（ID）， 在25℃条件下导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于需要高效率与高耐压能力的功率转换场景。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温稳定性和开关性能， 适合用于对能效和体积有较高要求的电源管理系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
29
货期
现货
STD11N60DM2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 29 |
STD11N60DM2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9.3A的连续漏极电流（ID）， 在25℃条件下导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于需要高效率与高耐压能力的功率转换场景。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温稳定性和开关性能， 适合用于对能效和体积有较高要求的电源管理系统中。
STD11N60DM2-HXY特性
暂无产品特性。
STD11N60DM2-HXY应用领域
暂无应用领域。