STD10NM65N-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ， 可有效降低导通损耗。 栅源电压范围为-4V至+18V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 采用碳化硅材料， 器件具有优异的耐压能力与热导性能， 适用于高频率、高效率的开关电源、直流电压变换电路及可再生能源发电系统中的功率转换模块， 有助于提升系统功率密度并减少能量损耗。