STD10NM60ND

这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。 这种创新的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合， 以实现极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于要求最苛刻的高效转换器。