STD10NF10T4-HXY

STD10NF10T4 N沟道MOS管， 采用标准TO-252-2L封装， 专为中等功率、高电压应用设计。 该器件具备100V的最大漏源电压(VDSS)， 可支持10A的连续漏极电流(ID)， 确保在高压环境下稳定运作。 其导通电阻RD(on)为140mR， 虽非业内最低， 但依然能在适度电流应用中展现良好效能。 适用于开关电源转换、电池管理系统、一般电机驱动等应用场景， 是兼具性能与性价比的优选半导体器件。