STD10N60DM2-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至460mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 栅源电压范围为-4V至+18V， 具备良好的开关特性与热稳定性。 器件利用碳化硅材料优势， 支持高频工作， 降低开关损耗， 适用于高密度电源系统， 如高效能适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置， 能够在严苛环境下保持稳定性能。