STD100NH03LT4-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD100NH03LT4-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为5毫欧。 低RDS(ON)有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升系统整体效率， 并减少散热需求。 其高电流承载能力和低阻抗特性使其适用于高效率电源转换、电池管理系统、便携式设备供电以及各类需要频繁开关操作的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
83
货期
现货
STD100NH03LT4-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 83 |
STD100NH03LT4-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为5毫欧。 低RDS(ON)有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升系统整体效率， 并减少散热需求。 其高电流承载能力和低阻抗特性使其适用于高效率电源转换、电池管理系统、便携式设备供电以及各类需要频繁开关操作的电子电路中。
STD100NH03LT4-HXY特性
暂无产品特性。
STD100NH03LT4-HXY应用领域
暂无应用领域。