STC6301D
IC
TO-252-4
可供量大可议
STC6301D
STC6301D 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。 该器件特别适用于电源管理等低压应用， 这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
品牌
STANSON
封装
TO-252-4
库存
5,060
货期
现货
STC6301D参数
| 封装 | TO-252-4 |
|---|---|
| 品牌 | STANSON(司坦森) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5060 |
STC6301D概述
STC6301D 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。 该器件特别适用于电源管理等低压应用， 这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
STC6301D特性
暂无产品特性。
STC6301D应用领域
暂无应用领域。