SOIC-8
STC15L104W-35I-SOP8
特性:512字节片内RAM数据存储器。 高速:1个时钟/机器周期, 增强型8051内核, 速度比传统8051快7~12倍, 也比STC早期的1T系列单片机(如STC12/11/10系列)的速度快20%。 宽电压:2.4V ~ 5.5V。 低功耗设计:低速模式, 空闲模式, 掉电模式(可由外部中断或内部掉电唤醒定时器唤醒)。 不需外部复位的单片机, ISP编程时16级复位门槛电压可选, 内置高可靠复位电路。 不需外部晶振的单片机, 内部时钟从5MHz~35MHz可选(相当于普通8051:60~420MHz), 内部高精度R/C时钟(±0.3%), ±1%温飘(-40℃~+85℃), 常温下温飘±0.6%(-20℃~+65℃)。 支持掉电唤醒的资源有:INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可), INT2 /INT3/INT4(下降沿中断); CCP0/CCP1/CCP2/RxD/T0/T2管脚; 内部掉电唤醒专用定时器。 4K/8K/13K/15.5K字节片内Flash程序存储器, 擦写次数10万次以上
品牌
STC
封装
SOIC-8
库存
469
货期
现货
STC15L104W-35I-SOP8参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | STC |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 469 |
STC15L104W-35I-SOP8概述
特性:512字节片内RAM数据存储器。 高速:1个时钟/机器周期, 增强型8051内核, 速度比传统8051快7~12倍, 也比STC早期的1T系列单片机(如STC12/11/10系列)的速度快20%。 宽电压:2.4V ~ 5.5V。 低功耗设计:低速模式, 空闲模式, 掉电模式(可由外部中断或内部掉电唤醒定时器唤醒)。 不需外部复位的单片机, ISP编程时16级复位门槛电压可选, 内置高可靠复位电路。 不需外部晶振的单片机, 内部时钟从5MHz~35MHz可选(相当于普通8051:60~420MHz), 内部高精度R/C时钟(±0.3%), ±1%温飘(-40℃~+85℃), 常温下温飘±0.6%(-20℃~+65℃)。 支持掉电唤醒的资源有:INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可), INT2 /INT3/INT4(下降沿中断); CCP0/CCP1/CCP2/RxD/T0/T2管脚; 内部掉电唤醒专用定时器。 4K/8K/13K/15.5K字节片内Flash程序存储器, 擦写次数10万次以上
STC15L104W-35I-SOP8特性
暂无产品特性。
STC15L104W-35I-SOP8应用领域
暂无应用领域。
