STB55NF06LT4

这款功率MOSFET采用了独特的“单特征尺寸”条形工艺。 由此产生的晶体管具有极高的封装密度， 可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性以及不太关键的对准步骤， 因此具有出色的制造再现性。