STB40NF20-JSM
IC
TO-263
可供量大可议
STB40NF20-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：40A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：35mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-263
库存
193
货期
现货
STB40NF20-JSM参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 193 |
STB40NF20-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：40A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：35mR @20A, 10V
STB40NF20-JSM特性
暂无产品特性。
STB40NF20-JSM应用领域
暂无应用领域。