STB34NM60ND

这些器件是采用意法半导体（ST）的MDmeshTM V技术生产的N沟道FDmeshTm V功率MOSFET， 该技术基于一种创新的专有垂直结构。 由此生产出的产品具有极低的导通电阻， 这在基于硅的功率MOSFET中是无与伦比的， 并且凭借其本征快速恢复体二极管具备卓越的开关性能。