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STB3055L2-VB
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

STB3055L2-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型MOSFET, 采用Trench技术, 适用于需要高功率和高性能的电路模块。 TO263; N—Channel沟道, 20V; 85A; RDS(ON)=6mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.6V

品牌

VBsemi

封装

TO-263(D2PAK)

库存

10

货期

现货

STB3055L2-VB参数

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

STB3055L2-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型MOSFET, 采用Trench技术, 适用于需要高功率和高性能的电路模块。 TO263; N—Channel沟道, 20V; 85A; RDS(ON)=6mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.6V

STB3055L2-VB特性

暂无产品特性。

STB3055L2-VB应用领域

暂无应用领域。

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