STB28NM50N

这些器件是采用第二代 MDmesh 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。 这种创新的功率 MOSFET 将垂直结构与条形布局相结合， 实现了极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于要求苛刻的高效转换器。