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STB20NM50T4
IC

TO-263

可供量大可议

STB20NM50T4

MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术, 它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。 由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 以及出色的雪崩特性和动态性能。

品牌

ST

封装

TO-263

库存

18

货期

现货

STB20NM50T4参数

封装TO-263
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存18

STB20NM50T4概述

MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术, 它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。 由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 以及出色的雪崩特性和动态性能。

STB20NM50T4特性

暂无产品特性。

STB20NM50T4应用领域

暂无应用领域。

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