STB20NM50T4
IC
TO-263
可供量大可议
STB20NM50T4
MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术, 它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。 由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 以及出色的雪崩特性和动态性能。
品牌
ST
封装
TO-263
库存
18
货期
现货
STB20NM50T4参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
STB20NM50T4概述
MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术, 它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。 由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 以及出色的雪崩特性和动态性能。
STB20NM50T4特性
暂无产品特性。
STB20NM50T4应用领域
暂无应用领域。
