STB15810-JSM
IC
TO-263
可供量大可议
STB15810-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：110A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：3.5mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-263
库存
758
货期
现货
STB15810-JSM参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 758 |
STB15810-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：110A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：3.5mR @20A, 10V
STB15810-JSM特性
暂无产品特性。
STB15810-JSM应用领域
暂无应用领域。