STB15810-CN
IC
TO-263
可供量大可议
STB15810-CN
特性：使用先进的SGT技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷乘积（FOM）。 符合RoHS标准。 无卤素。 使用先进的屏蔽栅沟槽工艺。 应用：电池管理。 电机控制和驱动
品牌
ChipNobo
封装
TO-263
库存
151
货期
现货
STB15810-CN参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ChipNobo(无边界) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 151 |
STB15810-CN概述
特性：使用先进的SGT技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷乘积（FOM）。 符合RoHS标准。 无卤素。 使用先进的屏蔽栅沟槽工艺。 应用：电池管理。 电机控制和驱动
STB15810-CN特性
暂无产品特性。
STB15810-CN应用领域
暂无应用领域。