STB15810
IC
D2PAK
可供量大可议
STB15810
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术， 其沟槽栅极结构经过优化， 可实现极低的导通电阻， 同时降低内部电容和栅极电荷， 从而实现更快、更高效的开关性能。
Brand
ST
Package
D2PAK
Stock
10,000
货期
现货
STB15810Parameters
| 封装 | D2PAK |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10000 |
STB15810概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术， 其沟槽栅极结构经过优化， 可实现极低的导通电阻， 同时降低内部电容和栅极电荷， 从而实现更快、更高效的开关性能。
STB15810特性
暂无产品特性。
STB15810应用领域
暂无应用领域。