STB14NM50N

该器件是采用第二代 MDmesh 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。 这种创新的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的条形布局相结合， 以实现极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于最苛刻的高效转换器。