STB12NK80ZT4

这些器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET， 通过优化成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。