STB11NM60T4

这些器件是采用第二代 MDmesh 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。 这些创新的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的条形布局相结合， 以实现极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它们适用于要求最苛刻的高效转换器。