ST8L65N044M9-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
ST8L65N044M9-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻为44mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源、可再生能源转换系统及大功率充电装置等应用， 有助于提升整体能效并简化热管理设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
66
货期
现货
ST8L65N044M9-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66 |
ST8L65N044M9-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻为44mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源、可再生能源转换系统及大功率充电装置等应用， 有助于提升整体能效并简化热管理设计。
ST8L65N044M9-HXY特性
暂无产品特性。
ST8L65N044M9-HXY应用领域
暂无应用领域。