ST5VFBN162
IC
DFN1610-2L
可供量大可议
ST5VFBN162
特性：2280W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线， 符合以下标准: -IEC 61000-4-2：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
SSGSEMI
封装
DFN1610-2L
库存
2,980
货期
现货
ST5VFBN162参数
| 封装 | DFN1610-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
ST5VFBN162概述
特性：2280W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线， 符合以下标准: -IEC 61000-4-2：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
ST5VFBN162特性
暂无产品特性。
ST5VFBN162应用领域
暂无应用领域。