ST4V5FHN162
IC
DFN1610-2L
可供量大可议
ST4V5FHN162
特性：2550 Watts 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
SSGSEMI
封装
DFN1610-2L
库存
120
货期
现货
ST4V5FHN162参数
| 封装 | DFN1610-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 120 |
ST4V5FHN162概述
特性：2550 Watts 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
ST4V5FHN162特性
暂无产品特性。
ST4V5FHN162应用领域
暂无应用领域。