ST3V3UBD322
IC
SOD-323
可供量大可议
ST3V3UBD322
特性：对一条 I/O 线进行双向 ESD 保护。 超低电容：典型值为 0.8pF。 低钳位电压。 工作电压：3.3V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 应用：USB 2.0 和 USB 3.0 接口。 10/100/1000 以太网
品牌
SSGSEMI
封装
SOD-323
库存
2,310
货期
现货
ST3V3UBD322参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2310 |
ST3V3UBD322概述
特性：对一条 I/O 线进行双向 ESD 保护。 超低电容：典型值为 0.8pF。 低钳位电压。 工作电压：3.3V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 应用：USB 2.0 和 USB 3.0 接口。 10/100/1000 以太网
ST3V3UBD322特性
暂无产品特性。
ST3V3UBD322应用领域
暂无应用领域。