ST36N10D
IC
TO-252
可供量大可议
ST36N10D
STN36N10D采用沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷。 这些器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
STANSON
封装
TO-252
库存
4
货期
现货
ST36N10D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | STANSON(司坦森) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
ST36N10D概述
STN36N10D采用沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷。 这些器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
ST36N10D特性
暂无产品特性。
ST36N10D应用领域
暂无应用领域。