ST24VFBD322
IC
SOD-323
可供量大可议
ST24VFBD322
特性：330瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触、±30kV空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
品牌
SSGSEMI
封装
SOD-323
库存
2,540
货期
现货
ST24VFBD322参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2540 |
ST24VFBD322概述
特性：330瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触、±30kV空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
ST24VFBD322特性
暂无产品特性。
ST24VFBD322应用领域
暂无应用领域。