ST2341S23RG
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
ST2341S23RG
ST2341S23RG 是一款 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路， 以及需要低在线功率损耗的场合
品牌
STANSON
封装
SOT-23-3L
库存
14,280
货期
现货
ST2341S23RG参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | STANSON(司坦森) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14280 |
ST2341S23RG概述
ST2341S23RG 是一款 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路， 以及需要低在线功率损耗的场合
ST2341S23RG特性
暂无产品特性。
ST2341S23RG应用领域
暂无应用领域。