ST2317S23RG
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
ST2317S23RG
ST2317S23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他电池供电电路， 这些应用需要在非常小尺寸的表面贴装封装中实现高端开关和低在线功率损耗
品牌
STANSON
封装
SOT-23-3L
库存
2,355
货期
现货
ST2317S23RG参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | STANSON(司坦森) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2355 |
ST2317S23RG概述
ST2317S23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他电池供电电路， 这些应用需要在非常小尺寸的表面贴装封装中实现高端开关和低在线功率损耗
ST2317S23RG特性
暂无产品特性。
ST2317S23RG应用领域
暂无应用领域。