ST2300-HXY

ST2300 N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装， 专为高效率和小型化电路设计。 该器件具有20V的漏源电压(VDSS)， 在18mR的超低导通电阻(RD(on))条件下， 可承载最大6A的漏极电流(ID)。 适用于开关电源转换、电机驱动、负载开关等应用领域， ST2300 凭借其强大的电流处理能力和优秀的能效表现， 成为您优化系统性能的理想半导体元件。