ST18N10D
IC
TO-252-2
可供量大可议
ST18N10D
ST18N10D是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 ST18N10D专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
品牌
STANSON
封装
TO-252-2
库存
135
货期
现货
ST18N10D参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | STANSON(司坦森) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 135 |
ST18N10D概述
ST18N10D是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 ST18N10D专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
ST18N10D特性
暂无产品特性。
ST18N10D应用领域
暂无应用领域。