ST15VFN162
IC
DFN1610-2
可供量大可议
ST15VFN162
特性：1925W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触， ±30kV 空气。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
Brand
SSGSEMI
Package
DFN1610-2
Stock
2,800
货期
现货
ST15VFN162Parameters
| 封装 | DFN1610-2 |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2800 |
ST15VFN162概述
特性：1925W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触， ±30kV 空气。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
ST15VFN162特性
暂无产品特性。
ST15VFN162应用领域
暂无应用领域。