ST1002-HXY
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
ST1002-HXY
ST1002 N沟道MOS管, 采用紧凑型SOT-23-3L封装, 特别针对高性能、小体积应用需求。 本器件额定电压VDSS高达100V, 能够处理5A的连续电流, 且拥有100mR的优秀导通电阻, 确保在高电流传输中仍保持较低的能量损耗。 ST1002 MOS管适用于多种应用场景, 如电源转换、负载驱动、电池管理等, 以其卓越的电气性能和信赖度, 成为电路设计者的明智之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23-3L
库存
10
货期
现货
ST1002-HXY参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
ST1002-HXY概述
ST1002 N沟道MOS管, 采用紧凑型SOT-23-3L封装, 特别针对高性能、小体积应用需求。 本器件额定电压VDSS高达100V, 能够处理5A的连续电流, 且拥有100mR的优秀导通电阻, 确保在高电流传输中仍保持较低的能量损耗。 ST1002 MOS管适用于多种应用场景, 如电源转换、负载驱动、电池管理等, 以其卓越的电气性能和信赖度, 成为电路设计者的明智之选。
ST1002-HXY特性
暂无产品特性。
ST1002-HXY应用领域
暂无应用领域。
