SSU1N50B-VB
IC
TO-251
可供量大可议
SSU1N50B-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Plannar技术， 适用于小功率电源、电动车辆、智能家居设备等领域。 TO251； N—Channel沟道, 650V； 2A； RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
17
货期
现货
SSU1N50B-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
SSU1N50B-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Plannar技术， 适用于小功率电源、电动车辆、智能家居设备等领域。 TO251； N—Channel沟道, 650V； 2A； RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
SSU1N50B-VB特性
暂无产品特性。
SSU1N50B-VB应用领域
暂无应用领域。