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SSTA06T116-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SSTA06T116-HXY

这款NPN型三极管(BJT)具有0.5A的集电极电流(IC)和80V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要较高电压处理能力的应用场景。 其直流电流增益(HFE)范围在100至400之间, 确保了信号放大时的稳定性和效率。 该元件的过渡频率(FT)为100MHz, 表明它能够在高频电路中保持良好的性能表现。 这些特点使得这款三极管非常适合应用于无线通信设备、家庭音响产品以及各类消费电子装置中的信号放大与开关控制功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

165

货期

现货

SSTA06T116-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存165

SSTA06T116-HXY概述

这款NPN型三极管(BJT)具有0.5A的集电极电流(IC)和80V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要较高电压处理能力的应用场景。 其直流电流增益(HFE)范围在100至400之间, 确保了信号放大时的稳定性和效率。 该元件的过渡频率(FT)为100MHz, 表明它能够在高频电路中保持良好的性能表现。 这些特点使得这款三极管非常适合应用于无线通信设备、家庭音响产品以及各类消费电子装置中的信号放大与开关控制功能。

SSTA06T116-HXY特性

暂无产品特性。

SSTA06T116-HXY应用领域

暂无应用领域。

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