SST39VF6401B-70-4C-EKE
IC
TSOP-48-18.4mm
可供量大可议
SST39VF6401B-70-4C-EKE
SST39VF640xB 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 4M x16 CMOS 多功能闪存增强版（MPF+）。 与其他方法相比， 分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。 SST39VF640xB 在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
品牌
MICROCHIP
封装
TSOP-48-18.4mm
库存
67
货期
现货
SST39VF6401B-70-4C-EKE参数
| 封装 | TSOP-48-18.4mm |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 非易失性存储器(ROM) |
|---|---|
| 库存 | 67 |
SST39VF6401B-70-4C-EKE概述
SST39VF640xB 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 4M x16 CMOS 多功能闪存增强版（MPF+）。 与其他方法相比， 分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。 SST39VF640xB 在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
SST39VF6401B-70-4C-EKE特性
暂无产品特性。
SST39VF6401B-70-4C-EKE应用领域
暂无应用领域。