SST39SF020A-70-4C-NHE
IC
PLCC-32(11.5x14)
可供量大可议
SST39SF020A-70-4C-NHE
CMOS多功能闪存采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。 分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器比其他方法具有更好的可靠性和可制造性。 器件使用4.5-5.5V电源进行写入（编程或擦除）， 符合x8存储器的JEDEC标准引脚排列。 具有高性能字节编程功能， 提供最大20μs的字节编程时间。 这些器件使用Toggle Bit或Data# Polling来指示编程操作完成。 为防止意外写入， 它们具有片上硬件和软件数据保护方案
品牌
MICROCHIP
封装
PLCC-32(11.5x14)
库存
30
货期
现货
SST39SF020A-70-4C-NHE参数
| 封装 | PLCC-32(11.5x14) |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 30 |
SST39SF020A-70-4C-NHE概述
CMOS多功能闪存采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。 分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器比其他方法具有更好的可靠性和可制造性。 器件使用4.5-5.5V电源进行写入（编程或擦除）， 符合x8存储器的JEDEC标准引脚排列。 具有高性能字节编程功能， 提供最大20μs的字节编程时间。 这些器件使用Toggle Bit或Data# Polling来指示编程操作完成。 为防止意外写入， 它们具有片上硬件和软件数据保护方案
SST39SF020A-70-4C-NHE特性
暂无产品特性。
SST39SF020A-70-4C-NHE应用领域
暂无应用领域。